technische information / technical information dioden-module diode-modules dd 600 s 65 k1 h?chstzul?ssige werte / maximum rated values periodische spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage t vj =125c t vj =25c t vj =-40c v ces 6500 6300 5800 v dauergleichstrom dc forward current i f 600 a periodischer spitzenstrom repetitive peak forw. current t p = 1 ms i frm 1200 a grenzlastintegral der diode i 2 t - value, diode v r = 0v, t p = 10ms, t vj = 125c i 2 t 165 k a 2 s isolations-prfspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min. v isol 10,2 kv teilentladungs aussetzspannung partial discharge extinction voltage rms, f = 50 hz, q pd typ. 10pc (acc. to iec 1287) v isol 5,1 kv charakteristische werte / characteristic values min. typ. max. durchla?spannung i f = 600a, t vj = 25c v f 3,0 3,8 4,6 v forward voltage i f = 600a, t vj = 125c 3,9 4,7 v sperrstrom v r = 6300v, t vj = 25c i r - 0,2 - ma reverse current v r = 6500v, t vj = 125c - 20 - ma rckstromspitze i f = 600a, - di f /dt = 2000a/s peak reverse recovery current v r = 3600v, t vj = 25c i rm - 800 - a v r = 3600v, t vj = 125c - 1000 - a sperrverz?gerungsladung i f = 600a, - di f /dt = 2000a/s recovered charge v r = 3600v, t vj = 25c q r - 550 - c v r = 3600v, t vj = 125c - 1050 - c abschaltenergie pro puls i f = 600a, - di f /dt = 2000a/s reverse recovery energy v r = 3600v, t vj = 25c e rec - 660 - mj v r = 3600v, t vj = 125c - 1600 - mj modulinduktivit?t stray inductance module pro zweig / per arm l sce - 25 - nh modulleitungswiderstand, anschlsse - chip module lead resistance, terminals - chip pro zweig / per arm r cc+ee - 0,37 - m ? prepared by: dr. oliver schilling date of publication: 2002-07-05 approved by: dr. schtze 2002-07-05 revision/status: series 1 1 dd 600 s65 k1 (final 1).xls
technische information / technical information dioden-module diode-modules dd 600 s 65 k1 thermische eigenschaften / thermal properties min. typ. max. innerer w?rmewiderstand thermal resistance, junction to case diode/diode, dc r thjc - - 0,021 k/w bergangs-w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro modul / per module paste 1 w/m*k / grease 1 w/m*k r thck - 0,008 - k/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur maximum junction temperature t vj, max - - 150 c betriebstemperatur sperrschicht junction operation temperature schaltvorg?nge diode(soa) switching operation diode(soa) t vj,op -40 - 125 c lagertemperatur storage temperature t stg -40 - 125 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see appendix innere isolation internal insulation aln kriechstrecke creepage distance 56 mm luftstrecke clearance 26 mm cti comperative tracking index >600 anzugsdrehmoment f. mech. befestigung schraube /screw m6 m 5 nm mounting torque anzugsdrehmoment f. elektr. anschlsse terminal connection torque anschlsse / terminals m8 m 8 - 10 nm gewicht weight g 1000 g mit dieser technischen information werden halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine eigenschaften zugesichert. sie gilt in verbindung mit den zugeh?rigen technischen erl?uterungen. this technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. it is valid in combination with the belonging technical notes. 2 dd 600 s65 k1 (final 1).xls
technische information / technical information dioden-module diode-modules dd 600 s 65 k1 i f [a] v f [v] i r [a] v r [v] (at auxiliary terminals) 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 25c 125c durchla?kennlinie der inversdiode (typisch) i f = f (v f ) forward characteristic of inverse diode (typical) 0 200 400 600 800 1000 1200 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 sicherer arbeitsbereich diode (soa) safe operation area diode (soa) p max = 1800kw ; t vj = 125c 3 dd 600 s65 k1 (final 1).xls
technische information / technical information dioden-module diode-modules dd 600 s 65 k1 t [s] i 1234 r i [k/kw] : diode 9,45 5,25 1,26 5,04 i [s] : diode 0,030 0,10 0,30 1,0 z thjc [k / w] 0,001 0,01 0,1 0,001 0,01 0,1 1 10 100 zth:diode transienter w?rmewiderstand z thjc = f (t) transient thermal impedance 4 dd 600 s65 k1 (final 1).xls
technische information / technical information dioden-module diode-modules dd 600 s 65 k1 ?u?ere abmessungen / extenal dimensions anschlsse / terminals 1 -- 2 -- 3 -- 4,6 anode / anode 5,7 kathode / cathode 5 dd 600 s65 k1 (final 1).xls
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